La memoria gaming Team Group T-Force Vulcan Z DDR4 ha sido rigurosamente probada por el laboratorio T-FORCE. Cada memoria de overclocking se prueba para una compatibilidad y estabilidad completas. Esto ofrece a los jugadores una memoria DDR4 con excelente calidad, rendimiento óptimo, estabilidad y compatibilidad. Los jugadores pueden disfrutar plenamente de la experiencia de juego más fina y fluida y un rendimiento de alta velocidad extrema sin ningún retraso.
Estructura reforzada y disipación de calor mejorada: Diseñado para ofrecer una protección completa y una disipación de calor mejorada, el difusor térmico se fabrica mediante un proceso de prensa de perforación, en una placa de aleación de aluminio de una sola pieza de 0.8 mm de grosor para reforzar la estructura del cuerpo del dispositivo. Además, el proceso de anodización electrolítica puede mejorar la resistencia a la corrosión y hacerla no conductora. Además, el adhesivo térmico superconductor puede mantener la memoria de juegos en las temperaturas de funcionamiento.
Chips de circuitos integrados selectos, estable y duradero: La memoria DDR4 para videojuegos se fabrica y selecciona mediante un riguroso proceso de pruebas para brindar compatibilidad y estabilidad completas. Esto ofrece a los gamers una memoria DDR4 con excelente compatibilidad, calidad y estabilidad.
Alto rendimiento, bajo consumo de energía y facilidad para la actualización: Además del aumento en la velocidad de transferencia de datos, el voltaje de funcionamiento básico de la nueva generación de memoria DDR4 también se redujo. Esta memoria ahorra energía, tiene un alto rendimiento y un bajo consumo.
Compatible con Intel XMP y sobreaceleración automática: La memoria DDR4 T-FORCE VULCAN Z para videojuegos es plug-and-play. La sobreaceleración puede ser muy sencilla sin la molestia de ajustar manualmente el BIOS. Es compatible con las plataformas Intel y AMD, por lo que los gamers pueden disfrutar de la sobreaceleración fácilmente y sin preocupaciones.
Especificaciones Team Group T-Force Vulcan Z
Características
Latencia CAS: 16
Memoria interna: 8 GB
Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 8 GB
Velocidad de memoria del reloj: 3200 MHz
Componente para: PC/servidor
Forma de factor de memoria: 288-pin DIMM
Tipo de memoria con búfer: Unregistered (unbuffered)
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El módulo de memoria SK Hynix HMCG78AGBSA092N es una RAM DDR5 de alto rendimiento, ideal para portátiles y sistemas compactos que requieren módulos SO-DIMM.
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Los módulos de memoria de Samsung están diseñados para una amplia gama de aplicaciones para ofrecer el mejor rendimiento con bajos requerimientos de energía.
Las memorias Crucial® DDR5 ofrecen las velocidades de vértigo y gran ancho de banda necesarios para la última generación de CPU multinúcleo. Esta innovadora tecnología permite que su sistema funcione más rápido a la hora de realizar multitareas, cargar, analizar, editar y renderizar, jugar con velocidades de fotogramas más altas, extraer información a partir de datos o mejorar la productividad para ahorrar tiempo y dinero, lo que reduce de forma significativa el retraso al ejecutar cargas de trabajo grandes y optimiza la eficiencia energética con respecto a la generación anterior.
GAMMIX D35 tiene un contorno triangular discreto y elegante, diseñado específicamente para jugadores con personalidades únicas. El pequeño disipador de calor de la D35 permite una fácil instalación en chasis pequeños.
Transcend's JetRam memory modules are manufactured with true ETT grade, brand-name DRAM chips that have passed Transcend's strict screening process and testing. The modules provide excellent compatibility and fully-tested reliability, which is ideal for PC upgrade at an attractive price. Each memory module is rated at 3200 MT/s to greatly increase data transmission efficiency by higher bandwidth of up to 25.6GB/s. Operated at a nominal voltage of just 1.2V, Transcend's DDR4 SO-DIMM JetRam memory ensures that both operating temperature and electrical load on the memory controller can be reduced in order to save up to 40% of energy compared to standard DDR3 modules offering 1.5V.
Los módulos de memoria DDR5 JetRam de nueva generación de Transcend cumplen con los estándares internacionales JEDEC y están fabricados con chips DRAM de marca de grado ETT que han pasado el estricto proceso de selección y pruebas de Transcend. La memoria DDR5 cuenta con dos canales independientes de 32 bits que brindan velocidades de hasta 4800 MT/s. El bajo voltaje de trabajo de 1,1 V y el PMIC reducen de manera efectiva la interrupción de la señal al mismo tiempo que reducen el consumo de energía de su computadora. El ECC en la matriz detecta y corrige automáticamente los errores de datos, lo que mejora la integridad de los datos y la estabilidad del sistema.
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